BUZ30AHXKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BUZ30AHXKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-1 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
BUZ30AHXKSA1 Einzelheiten PDF [English] | BUZ30AHXKSA1 PDF - EN.pdf |
BUZ30A SMD INFINEON
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
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MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
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2024/03/25
2024/06/5
2024/04/5
BUZ30AHXKSA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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